技術最關鍵是共晶材料的選擇及焊接溫度的控制。新一代的InGaN高亮度LED發光二極管,如採用共晶焊接,晶粒底部可以採用純錫(Sn)或金錫(Au-Sn)合金作接觸面鍍層,LED發光二極管的晶粒可焊接於鍍有金或銀的基板上。當基板被加熱至適合的共晶溫度時(圖5),金或銀元素滲透到金錫合金層,合金層成份的改變提高溶點,令共晶層固化並將LED發光二極管緊固的焊於熱沉或基板上。選擇共晶溫度視乎晶粒、基板及器件材料耐熱程度及往後SMT回焊製程時的溫度要求。考慮LED發光二極管共晶固晶機台時,除高位置精度外,另一重要條件就是有靈活而且穩定的溫度控制,加有氮氣或混合氣體裝置,有助於在共晶過程中作防氧化保護。當然和银浆固晶一樣,要達至高精度的固晶,有賴於嚴謹的機械設計及高精度的馬達運動,才能令焊頭運動和焊力控制恰到好處之餘,亦無損高產能及高良品率的要求。 進行共晶焊接工藝時亦可加入助焊劑,這技術最大的特點是無須額外附加焊力,故此不會因固晶焊力過大而令過多的共晶合金溢出,減低LED發光二極管產生短路的機會。摘錄請註明來自www.togialed.com (责任编辑:统佳LED http://www.togialed.com) |